Das im EE660 eingesetzte E+E Dünnschichtsensorelement bietet eine hervorragende Messgenauigkeit und sehr gute Langzeitstabilität schon ab 0,15m/s. Die Messwerte werden auf den Strom- und Spannungsausgängen oder über eine RS485-Schnittstelle mit Modbus RTU ausgegeben.
Der EE660 kann über Jumper auf der Platine oder mittels EE-PCS Product Configuration Software konfiguriert werden.
- Hochgenaue Messung ab 0,15 m/s
- Ausgezeichnete Langzeitstabilität
- Geringste Schmutzempfindlichkeit
- Sehr kleine Winkelabhängigkeit
- Großes, gut lesbares Display
- Modbus RTU
- Strom- und Spannungsausgang
- Konfigurier- und einstellbar
- Messbereich
- 0...1 m/s0...1,5m/s0...2m/s
- Genauigkeit bei 20 °C, 45 % rF, 1013 Hektopascal
- 0,15...1 m/s ± (0,04 m/s + 2 % vom MW)0,15...1,5 m/s ± (0,05 m/s + 2 % vom MW)0,15...2 m/s ± (0,06 m/s + 2 % vom MW)
- Ansprechzeit (bei konstanter Temperatur)
- typ. 4s oder typ. 1s
- Ausgang Analog - Einstellbar
- 0-10 V und 4-20 mA
- Ausgang Digital
- Modbus RTU
- Speisung
- 24V AC/DC
FAQ
Transmitter with "two-wire" technology receive the power from the process, and the signal is carried on return wire (closed current loop). With "three-wires" technology the power supply is separate from current output: 2 wires are the power supply and the third carries the signal.
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